एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स ने अपनी चौथी पीढ़ी की सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET तकनीक लॉन्च की है। इस नई तकनीक का उद्देश्य सुधार करना है शक्ति दक्षताघनत्व, और मजबूती, विशेष रूप से विद्युतीय वाहन (ईवी) ट्रैक्शन इनवर्टर। इसे ऑटोमोटिव और औद्योगिक दोनों बाजारों की जरूरतों को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, और यह 2027 तक SiC प्रौद्योगिकी को आगे बढ़ाने की कंपनी की प्रतिबद्धता के अनुरूप है।
प्रमुख विशेषताऐं
750V और 1200V वर्गों में उपलब्ध नए SiC MOSFETs, 400V और 800V EV बस ट्रैक्शन इनवर्टर दोनों के लिए ऊर्जा दक्षता और प्रदर्शन में सुधार करने वाले संवर्द्धन प्रदान करते हैं। इन प्रगतियों का लक्ष्य मध्यम आकार और कॉम्पैक्ट ईवी को बड़े पैमाने पर बाजार के लिए अधिक सुलभ बनाना है। इस प्रौद्योगिकी का अनुप्रयोग अन्य उच्च-शक्ति क्षेत्रों में भी है, जैसे सौर इनवर्टर, ऊर्जा भंडारण प्रणालियाँऔर डेटासेंटर।
STMicroelectronics ने 750V वर्ग की योग्यता पूरी कर ली है, 1200V वर्ग के 2025 की पहली तिमाही तक योग्य होने की उम्मीद है। इसके बाद, व्यावसायिक उपलब्धता मानक एसी-लाइन वोल्टेज और उच्च-वोल्टेज ईवी बैटरी और चार्जर में उपयोग की अनुमति देगी।
औद्योगिक और ऑटोमोटिव अनुप्रयोग
चौथी पीढ़ी के SiC MOSFETs का लक्ष्य दक्षता में सुधार करना है ईवी ट्रैक्शन इनवर्टर और अन्य औद्योगिक अनुप्रयोग, जैसे उच्च-शक्ति मोटर ड्राइव और नवीकरणीय ऊर्जा सिस्टम. औद्योगिक सेटिंग्स में, उपकरण मोटर नियंत्रण को अनुकूलित करने और ऊर्जा खपत को कम करने में मदद करते हैं। नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों में, वे सौर इनवर्टर और ऊर्जा भंडारण इकाइयों की दक्षता में सुधार करते हैं। इसके अतिरिक्त, प्रौद्योगिकी से सर्वर डेटासेंटरों को लाभ होने की उम्मीद है, विशेष रूप से एआई अनुप्रयोगों में बिजली और थर्मल प्रबंधन चुनौतियों का समाधान करने में
STMicroelectronics SiC बिजली उपकरणों के अपने विकास को जारी रखेगा, पांचवीं पीढ़ी की योजना के साथ बिजली घनत्व को और बढ़ाने और ऑन-प्रतिरोध को कम करने पर ध्यान केंद्रित किया जाएगा। कंपनी कैटेनिया में SiC सबस्ट्रेट्स के लिए एक नई विनिर्माण सुविधा भी विकसित कर रही है, जिसका उत्पादन 2026 में शुरू होने वाला है।
